Plasma Source 플라즈마 챔버

2021.03.18 20:01

도나츠바 조회 수:709

안녕하십니까. 반도체 업체에 근무하고 있는 회사원입니다.

 

다름이 아니라 플라즈마에 챔버에 대해 질문이 있어 이렇게 글을 올립니다.

 

플라즈마 챔버 설계를 진행하려 합니다.

 

혹시....... Gas를 NF3를 사용하게 되면 스테인리스 챔버로 제작를 진행해도 괜찮을까요? 

 

아니면 알루미늄 챔버로 제작을 해야 하나요?

 

위 두가지 챔버 제작의 경우 사용 불가한 이유가 있으면 알고 싶습니다.

 

너무 궁긍하여 글을 올립니다.

 

답변 부탁드립니다.

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [126] 5571
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16853
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51343
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64184
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84145
609 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 903
608 전자 온도 구하기 [1] file 621
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 218
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 1295
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 2869
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 461
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1553
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 432
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 595
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 505
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 781
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1175
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 878
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 1596
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 165
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1809
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 868
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1145
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 2538

Boards


XE Login