안녕하세요, 

현재 스퍼터 장비를 사용하기에 앞서 플라즈마에 대해 공부하고 있는 서울대학교 대학원생입니다. 

스퍼터 장비에서 사용되는 DC,RF파워간의 차이, reative, magnetron을 사용하는 이유와 과정에 대해 전반적으로 공부하고 이해하는 과정에서 

가장 원초적인 궁금증이 생겼고, 이에 대한 명쾌한 답을 찾을 수 없어서 질문드립니다. 

 

Q1) 챔버내에서 타겟,기판,고온 조건이 없더라도 방전기체를 넣어주고 파센의법칙에 의해 계산된 전기장을 가해주면 플라즈마를 발생시킬 수 있다고 알고 있고, 실제로 발생하는 것을 확인하였습니다. 그렇다면 폐쇄된 강의실에 매우 강한 전기장을 가해준다면 실제로 강의실에 플라즈마가 생기는 것을 확인 할 수 있나요? 없다면 왜 그런지 알고 싶습니다. (폐쇄되었다는 조건외에는 별다른 조건이 없습니다)

 

Q2) 플라즈마 발생 과정에서 source가 되는 seed electron은 진공상태여도 챔배내에 존재하게 되는데 도데체 이 seed electron은 정확히 어디서, 어떻게 생겨났으며, 챔버내에서 어떤식으로 존재하게 되는건가요? 

 (저는 그저 cosmic rays에 의해 생겨난 전자가 자연상태를 돌아다니까 챔버내에서도 당연하게 존재한다고만 알고 있습니다.)

 

 

짧지 않는 글 읽어주셔서 감사합니다. 또한 답변주시면 감사하겠습니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 437
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 399
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 615
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 315
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1013
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 589
703 self bias [1] 529
702 Self bias 내용 질문입니다. [1] 821
701 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 702
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 618
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1174
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 366
697 ICP lower power 와 RF bias [1] 1436
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 576
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 171
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 869
693 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 609
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 609
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28726
690 plasma modeling 관련 질문 [1] 387

Boards


XE Login