안녕하세요. CCP TYPE의 Chamber에 관한 문의점이 있습니다.

 

CCP 방식의 Chamber에서 HF를 이용하여 Plasma를 생성할여 Deposition을 진행하는 공정의 경우 Wafer가 안착되는 Plate의 온도가 Shower Head 보다 일반적으로 높은 조건을 사용하게 됩니다.

이때 HF의 주파수를 기존의 2배로 변경하게되면 Plasma의 밀도가 증가할 것으로 생각되며 다양한 변화가 발생할 것으로 생각됩니다.

그럼 온도 측면에서 Shower Head에 열전달 변화가 발생할까요?

저압에서 진행하는 공정 특성상 Plasma 온도변화가 Shower Head에 미치는 영향은 미비할것으로 생각되는데 주파수 변화와 Plasma 온도와 관련된 논문을 찾을 수 없어서 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78047
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20850
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57738
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93636
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 829
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 766
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 507
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 372
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 421
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 706
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 331
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 403
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 279
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 717
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 668
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 409
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 594
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 403
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 824
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 689
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 445
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 215
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 185
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 471

Boards


XE Login