안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. 전에 작성했던 글에 댓글을 남기는방법을 찾지 못해 글로 남깁니다.

SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas) 의 에칭입니다.

결합에너지를 근거로 다음과같은 에칭이 일어난다고 생각했고, Si(CH3)2기는 단순히 플라즈마 공급 전에 있다고 가정했습니다.

원활한 F의 공급 및 에칭, 플라즈마의 유지를 위해 CF4/O2 외에도 Ar의 공급이 필수적이라고 생각하면 될까요?

또한 Ar+생성 외에도 Ar공급의 목적이 있는지 궁금합니다.(CF4와의 반응에 영향을 미치는지 등)

마지막으로 충분한 물리적 에칭을 위해 Ar사용, F의 농도를 높이기 위해 O2를 사용으로 이해한게 맞는지 여쭤봅니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77272
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68922
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92970
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 546
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 383
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 769
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 641
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 421
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 201
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 168
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 446
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 252
» [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 690
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 904
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1540
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 305
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 469
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 385
712 corona model에 대한 질문입니다. [1] 179
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 226
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 696
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 472
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 431

Boards


XE Login