Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:3262

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76694
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92219
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3262
101 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3158
100 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3051
99 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2961
98 Plasma etcher particle 원인 [1] 2959
97 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2888
96 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
95 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2732
94 PR wafer seasoning [1] 2699
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2626
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2580
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2439
90 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2319
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2311
87 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
86 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2298
85 etching에 관한 질문입니다. [1] 2257
84 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2252
83 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2047

Boards


XE Login