Sheath RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교

2023.01.11 20:48

aky123 조회 수:893

안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.

그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76874
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92696
697 ICP lower power 와 RF bias [1] 1463
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 584
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 173
» RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 893
693 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 620
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 616
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28966
690 plasma modeling 관련 질문 [1] 388
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 736
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 744
687 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1142
686 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
685 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1095
684 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 779
683 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 992
682 RF Sputtering Target Issue [2] file 613
681 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 614
680 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1900
679 plasma striation 관련 문의 [1] file 485
678 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 555
쓰기
태그

Boards

XE Login