Sheath 프리쉬스에 관한 질문입니다.

2019.03.07 20:36

JIVELY 조회 수:597

랑뮤어 프로브에 관한 논문을 읽다가 궁금하게 생겨 질문 드립니다. 

이온은 프리쉬스 영역에서 0.5(kTe/e)에 해당하는 전압강하를 통하여 bohm속도를 갖게되어 음극쪽으로 끌려가는 것으로 알고 있습니다.

논문에서는 음극에서 수집되는 전류밀도는 일정하므로 이온의 밀도는 감소하며 만약 이 이온의 밀도감소 속도가 전자의 밀도감소 속도보다 빠르게 될 경우 전자가 사라지기 전에 이온밀도가 감소하여 결국 순 전류가 음의 값을 가져 이온의 속도가 증가한다고 합니다. 따라서 이를 해결하려면 쉬스의 양의 공간 전하를 유지하기 위해 이온은 bohm속도에 해당하는 속도로 쉬스로 들어가야 한다고 나와있습니다. 

이 부분이 이해가 되질 않습니다.  프리 쉬스에 의해  bohm속도에 도달한 이온들은 쉬스영역으로 더 잘 끌려간다는 말 아닌가요? 이렇게 되면 이온밀도는 더 감소하게되는것 아닌지... 쉬스의 양의 공간전하 유지를 위해 이온밀도 감소 속도를 낮춰야 한다면서 한편으로는 쉬스영역으로 더 잘 끌려갈 수 있게 bohm 속도를 가져야 한다니... 뭔가 역설적인것 같습니다..

또 프리 쉬스가 생기는 이유에 대해서도 궁금합니다.

또 다른 한 논문에서는 "이온-중성종 간의 약한 충돌이 지배적으로 일어나는 전통적 의미의 프리쉬스 영역이 존재함을 의미" 라고 적혀있는것을 보았습니다.

이온-중성종간의 충돌이 프리쉬스의 형성과 어떤 관련이 있나요?? 아니면 그냥 프리쉬스영역에서 이온-중성종간의 충돌이 일어난다는 뜻인가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76819
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20247
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57191
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92578
176 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13062
175 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12765
174 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. 12362
173 플라즈마 살균 방식 [2] 11459
172 DC bias (Self bias) [3] 11280
171 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10381
170 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9526
169 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] 9244
168 안녕하세요 교수님. [1] 9042
167 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8992
166 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8927
165 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8730
164 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8581
163 핵융합에 대하여 8564
162 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 8125
161 MFP에 대해서.. [1] 7827
160 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6540
159 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6470
158 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6444
157 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6419

Boards


XE Login