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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[160]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 1511 |
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플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다.
[1] | 1461 |
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[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상
[1] | 1355 |
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다.
[1] | 1320 |
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poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
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doping type에 따른 ER 차이
[1] | 1276 |
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Ar plasma power/time
[1] | 1270 |
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Pecvd 장비 공정 질문
[1] | 1247 |
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CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문
[1] | 1214 |
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Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다.
[1] | 1191 |
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PECVD 증착에서 etching 관계
[1] | 1124 |
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[CVD] 막 증착 관련 질문입니다.
[4] | 1088 |
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Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다.
[1] | 1077 |
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안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
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PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다!
[1] | 1023 |
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
[1] | 1022 |
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부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다.
[1] | 1006 |
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Plasma etch관련 질문이 드립니다.
[1] | 984 |
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ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다.
[1] | 945 |
