안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.


icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.


또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.


답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77026
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20351
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57274
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68819
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92819
84 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2078
83 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2033
82 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2029
81 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2004
80 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1927
79 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1898
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1824
77 터보펌프 에러관련 [1] 1773
76 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1760
75 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1682
74 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1531
73 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1476
72 Ar plasma power/time [1] 1448
71 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1443
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1427
69 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1423
68 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1407
67 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1396
66 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1310
65 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1257

Boards


XE Login