Sputtering 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극]

2019.03.04 10:48

대구한밭 조회 수:1794

안녕하세요.

PECVD로 탄소 박막을 합성하고, 표면을 Oxide 시키기 위해 plasma asher로 200W/30 min 동안

처리하였는데 반응이 없어 다른 방법을 모색중입니다.

그래서 스퍼터로 가능할까 싶어서 궁금증을 여기에 풀어 봅니다.

보통 O2/N2는 반응성 스퍼터링에 사용되는 것으로 알고 있습니다.

혹시나, (1) Ar 대신 O2 or N2만 주입해도 플라즈마가 형성이 가능한가요?

그리고 (2) 타겟없이도 플라즈마가 뜨는가요?

이 두 부분이 궁금합니다.

생뚱맞는 질문일수도 있지만,

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103380
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24719
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61543
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73525
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105968
94 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2744
93 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2720
92 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2708
91 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2706
90 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2611
89 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2537
88 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2472
87 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2409
86 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2322
85 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2283
84 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2253
83 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2210
82 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2113
81 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2073
80 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2048
79 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1853
78 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1818
» 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1794
76 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1793
75 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1787
쓰기
태그

Boards

XE Login