Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20211 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92294 |
689 | ccp-icp | 21484 |
688 | 47th American Vacuum Society International Symposium 2000 | 21425 |
687 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21385 |
686 | Breakdown에 대해 | 21368 |
685 | 플라즈마 실험 | 21346 |
684 | 플라즈마 측정기 [1] | 21332 |
683 | 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] | 21330 |
682 | Xe 기체를 사용한 플라즈마 응용 | 21318 |
681 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21192 |
680 | 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] | 21110 |
679 | 플라즈마란? | 21057 |
678 | 대기압플라즈마 진단 | 21025 |
677 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20963 |
676 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20906 |
675 | plasma cleanning에 관하여.... | 20834 |
674 | IEDF EQP에 대한 답변 | 20807 |
673 | 이온주입량에 대한 문의 | 20731 |
672 | 교재구입 | 20725 |
671 | Three body collision process | 20649 |
670 | Lissajous figure에 대하여.. | 20621 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.