Deposition Pecvd 장비 공정 질문
2018.12.17 22:52
.반도체회사에서 pecvd 담당하고 있는 초보인데요. 궁금한게 몇개 있어 물어보겠습니다.
1. pecvd 증착 후 wafer edge에 많은 defect을 해결하는 방법 (center는 깨끗함, edge에만 defect이 수없이 많음)
2. pecvd deposition 중 reflected power가 팅기는 현상으로 인해 두께가 낮아지거나 높아지는 현상이 있나요? 있다면 해결방법 알려주세요.
3. 한번 공정할때 wafer가 5장이 들어가는데 최대한 두께가 균일하게 증착할 방법이 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20211 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92294 |
689 | ccp-icp | 21484 |
688 | 47th American Vacuum Society International Symposium 2000 | 21425 |
687 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21385 |
686 | Breakdown에 대해 | 21368 |
685 | 플라즈마 실험 | 21346 |
684 | 플라즈마 측정기 [1] | 21332 |
683 | 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] | 21330 |
682 | Xe 기체를 사용한 플라즈마 응용 | 21318 |
681 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21192 |
680 | 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] | 21110 |
679 | 플라즈마란? | 21057 |
678 | 대기압플라즈마 진단 | 21025 |
677 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20963 |
676 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20906 |
675 | plasma cleanning에 관하여.... | 20834 |
674 | IEDF EQP에 대한 답변 | 20807 |
673 | 이온주입량에 대한 문의 | 20731 |
672 | 교재구입 | 20725 |
671 | Three body collision process | 20649 |
670 | Lissajous figure에 대하여.. | 20621 |
자세한 상황을 알 수가 없으나 particle 이슈가 아닐까 합니다. 플라즈마 쪽에서는 dusty plasma라 하여 연구가 되는 분야이며, 이에 대해서는 최근 연구성과를 발표하고 있는 원자력 연구소의 채길병박사님께 문의하시면 좋을 정보를 얻을 수 있을 것 같습니다.
또한 박막 공정에서 벽면에서 발생되는 particle 제어는 장비 마다, 또한 공정 마다 다름으로 매우 제한적이니, 참고하시고 벽면의 세정과 해당 공정에서의 세정에 대한 정보를 수집해 가면서 최적 공정을 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.