안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.

O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금

다를 수 있다는 내용을 보았는데요..


현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우

다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금

합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77279
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68924
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92983
26 석영이 사용되는 이유? [1] 20061
25 플라즈마 matching 20292
24 CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] file 20409
23 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] file 21128
22 ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] 21222
21 Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] 22278
20 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22586
19 Peak RF Voltage의 의미 22643
» 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22960
17 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23351
16 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24660
15 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24789
14 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24794
13 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24923
12 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25599
11 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26266
10 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26514
9 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27242
8 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27680
7 esc란? 28118

Boards


XE Login