안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [285] 77291
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20487
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57407
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68938
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92986
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 3075
84 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3079
83 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3083
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3205
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3397
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3622
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3711
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3870
77 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3993
76 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4037
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4185
74 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4348
73 플라즈마 색 관찰 [1] 4365
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5490
71 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5519
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6026
69 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6133
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6330
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6476
66 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6505

Boards


XE Login