안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103320
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24716
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61526
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73519
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105951
734 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 704
733 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 710
732 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [플라즈마 이온주입 연구실] [1] 717
731 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [광운대 최은하 교수님] [1] 723
730 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 724
729 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 728
728 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 729
727 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 730
726 KM 모델의 해석에 관한 질문 [Self bias와 ambipolar diffusion] [1] 734
725 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [Powder] [1] 742
724 Floride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [Sputter setup 및 구동 원리] [1] 750
723 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [VPS] [1] 751
722 Microwave & RF Plasma [플라즈마 주파수와 rate constant] [1] 751
721 Bias인가 Cable 위치 관련 문의 [플라즈마 분포 관찰] [1] 755
720 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 759
719 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화] [1] 764
718 안녕하세요 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [E x B drift] [1] file 769
717 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 778
716 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [Cleaning 후 재활용] [1] 784
715 수중방전에 대해 질문있습니다. [플라즈마 생성 및 방전] [1] 787

Boards


XE Login