안녕하세요. PECVD 공정 엔지니어로서 RPSC의 Cleaning 거동을 이해하고자 질문드립니다.

 

우선 CCP 형태 Chamber에서 Chamber 내 NF3가 공급되어 SiNx가 식각되는 Cleaning 공정을 가정하겠습니다.

Chamber Throttle Valve Position이 고정되고 Pump는 100% 성능으로 작동할 때, NF3를 공급하면 Pressure 곡선은 아래와 같습니다.

Chamber 내에선 SiNx와 NF3가 반응하여 SiF4가 생성됩니다.

제목 없음.png

Throttle Valve, Pump 상태는 동일하므로 배기되는 Output Volume Flowrate는 항상 같다고 가정했습니다.

Chamber 내 압력이 변동하되 Chamber Volume은 일정하므로, Chamber 내 Density는 Pressure에 비례할 것입니다. 즉, Fluid Density는 상기 곡선 상황에서 변동하는 Parameter입니다.

 

이때, 궁금한 것은 Residence Time 추이가 어떻게 변할지 입니다.

Residence Time은 Chamnber 내 Fluid가 평균적으로 얼마나 오래 머무르고 가는지 의미합니다.

 

추론① 배기되는 Output Volume Flowrate, Chamber Volume이 일정하므로 Residence Time은 항상 동일하다.

 

추론② Input Volume Flowrate가 증가하더라도, 추론①대로 Residence Time은 항상 일정하다. → 이 경우, Input Volume Flowrate가 증가했음에도 Residence Time이 동일한 건 직관적으로 이상하지만, Density(혹은 Pressure)가 증가하므로 적절한 추론일 것이다.

 

추론③ Chamber 내 Fluid Density와 Throttle Valve를 통해 배기되는 Fluid Density는 동일하다.

 

상시 세 가지 추론이 적절한지 궁금합니다. 물론 정밀한 수준으로 정확한지를 따지기보단, 큰 개념으로 공정을 바라볼 때 위의 추론처럼 이해하는 것이 적절한지가 궁금합니다.

 

항상 질문에 친절하게 답해주셔서 감사합니다.

 

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