지금 모기업에서 인턴을 하면서 CVD파트에 대해서 공부를 하고있습니다.

PECVD를 과정에서 플라즈마의 균일도가 중요 하다고 합니다.

이때 어떠한 변수들이 플라즈마의 균일도에 영향을 주는지 궁급합니다.

 

이와더불어 N2플라즈마와 수소플라즈마의 차이점에 대해서 알고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76791
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68723
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92452
82 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2031
81 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1991
80 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1988
79 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1959
78 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1874
77 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1873
76 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1801
75 터보펌프 에러관련 [1] 1765
74 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1739
73 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1662
72 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1505
71 Ar plasma power/time [1] 1437
70 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1432
69 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1416
68 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1394
67 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1394
66 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1380
65 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1318
64 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1301
63 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1246

Boards


XE Login