안녕하세요?


현재 반도체 회사에서 CVD 설비 PART에 근무하고 있는 윤종문이라고 합니다.


플라즈마와 관련되어 CCP 방식의 설비에서 발생되는 문제에 대해 질문하려고 하는데요

HF(13.56Mhz)와 LF(4khz)를 모두 사용하는 설비입니다.


LF의 주파수가 고정되어 있는 상태에서 파워가 800kW가 되었을 때, Alloy 6061로 이루어진 Shower Head에서 Mg의 반응성이 문제가 되어 Particle Issue가 발생되고 있는데요.. 그 이유를 찾고 있습니다.

논문을 하나 찾아본 것이 있는데, 그 논문에서는 고온에서 발생하는 열팽창계수의 차이 때문에 발생되는 Warpage로 인해 코팅된 표면에 Crack이 발생되어 Flouorine이 침투되어 영향을 줄 수 있다고 되어있습니다만..

이 경우에는 온도는 동일하고 LF의 파워가 800kW가 되었을 때만 문제가 발생합니다.

LF POWER가 상승하면 alloy의 표면에 온도에 대한 영향을 주는 건지 궁금하네요.


요약


1 / 플라즈마(LF의 주파수는 고정)의 파워가 상승 했을 때 Alloy 6061에 어떤 영향(화학적으로, 특히 Mg에)을 미칠 가능성이 있는지요?

2 / Mg이 반응하게 되는 이유가 반응성이 크다 라는 것 말고 RF적으로 다른 이유가 있을까요?

3/ 논문에서 온도에 대한 영향 가능성을 읽었는데, 플라즈마 파워가 온도에 영향을 critical하게 주는 factor인가요?

4 /  이런 문제를 해결하기 위해 chemical polishing이나, seasoning을 염두에 두고 있는데.. 어떤 부분에서 접근해야 영향성을 줄일 수 있을까요?


라고 정리해보았습니다.


제가 아는게 그리 많지 않아서 질문이 많습니다..

답변 해주시면 감사하겠습니다 ^_^..

좋은 하루 되세요..

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76828
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20251
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68741
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92581
83 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2054
82 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2001
81 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2001
80 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1967
79 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1886
78 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1879
77 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1806
76 터보펌프 에러관련 [1] 1767
75 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1741
74 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1669
73 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1510
72 Ar plasma power/time [1] 1439
71 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1434
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1418
69 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1406
68 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1401
67 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1383
66 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1361
65 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1303
64 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1248

Boards


XE Login