안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. 전에 작성했던 글에 댓글을 남기는방법을 찾지 못해 글로 남깁니다.

SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas) 의 에칭입니다.

결합에너지를 근거로 다음과같은 에칭이 일어난다고 생각했고, Si(CH3)2기는 단순히 플라즈마 공급 전에 있다고 가정했습니다.

원활한 F의 공급 및 에칭, 플라즈마의 유지를 위해 CF4/O2 외에도 Ar의 공급이 필수적이라고 생각하면 될까요?

또한 Ar+생성 외에도 Ar공급의 목적이 있는지 궁금합니다.(CF4와의 반응에 영향을 미치는지 등)

마지막으로 충분한 물리적 에칭을 위해 Ar사용, F의 농도를 높이기 위해 O2를 사용으로 이해한게 맞는지 여쭤봅니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76696
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
667 plasma 공정 중 색변화 [1] 599
666 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 601
665 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 602
664 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 605
663 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 607
662 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 607
661 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 612
660 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 615
659 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 623
658 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 628
657 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 632
656 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 635
655 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 656
654 Polymer Temp Etch [1] 656
653 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 663
» [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 668
651 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 672
650 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 674
649 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 679
648 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 684

Boards


XE Login