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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154
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Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering]
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]
[4] | 6978 |
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Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [Sheath 전기장 및 instability]
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poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
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모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
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HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue]
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Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과]
[1] | 1784 |
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안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법]
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N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정]
[1] | 12472 |
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Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전]
[3] | 3388 |
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Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]
[2] | 4901 |
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DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering]
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M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown]
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HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌]
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플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도]
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플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage]
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고온 플라즈마 관련
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안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리]
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