Etch 에칭후 particle에서 발생하는 현상

2004.06.19 16:44

관리자 조회 수:9143 추천:225

Etching 후에 particle에 발생하는 현상은 매우 일반적입니다. 사용하는 gas와 대상 시편간의 화합물 형성 조건과 반응기의 형태등에 따라서 particle 발생과 처리는 매우 심각한 문제를 야기하기도 합니다. 또한 이 같은 현상은 반응기 내부 구조에 따라 매우 민감하고 개스 흐름과도 밀접한 연관이 있습니다. 반응기 내의 구조에 특히 민감합니다.
실험에서처럼 polymer가 형성되는 경우는 일반적으로 processing 사이에 산소 플라즈마를 사용하여 반응기를 cleaning하는 방법을 사용하는 것으로 알고 있습니다. 물론 이용하고 있겟지요. 또한 반응기 구조에 개스 흐름이 모이는 곳이 없도록 내부 설계를 조절할 필요가 있을 것입니다.
저희 실험실에서는 플라즈마내에 particle이 통과 하였을 경우 particle표면에
얼마나 많은 전하가 하전되는 가를 공부하고 있습니다. 그 결과는 표면적에 비례하여 하전량이 증가하는 것을 알 수 있고 이 표면 전하에 의한 전위는 process중에 전기력을 형성하여 반응기 표면에 흡착되던가 자신의 중력을 상쇄하여 플라즈마내에 부유하고 있을 수 있습니다. 하지만 플라즈마가 꺼지고 표면 전하가 사라지게 되면 균형을 이루던 힘이 깨지고, 즉 전기력을 손실하여 중력에 다른 particle의 자유 낙하가 시작될 것입니다. 이때 gas flow에 다라서 particl 이 배기 되지 못하면 남은 particle은 처리 시편에 떨어지게 됩니다. 이 같은 사항을 고려하여 반응기 내부 구조 설계와 배기 설계 등을 하시면 도움이 될 것 입니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5616
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16915
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51352
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64226
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84310
32 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 768
31 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 700
30 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 672
29 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 647
28 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 646
27 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 619
26 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 608
25 ICP 후 변색 질문 588
24 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 572
23 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 556
22 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 539
21 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 517
20 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 510
19 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 508
18 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 496
17 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 485
16 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 480
15 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 475
14 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 467
13 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 466

Boards


XE Login