Sputtering 물리적인 sputterting

2004.06.19 16:51

관리자 조회 수:18479 추천:225

물리적인 sputtering은 표면에서 균일하게 일어남으로 큰 차이를 갖기 힘들 것입니다. 질문에서와 같이 inert 개스를 사용한 경우에는 sputter target은 일정하게 sputtering이 일어나고 있을 것입니다. 하지만 주 교수님 말씀과 질문하신 분의 말씀과 같이 산화물 등이 생성되는 환경에서는 sputter target표면에서의 sputtering은 일정하지 않을 조건이 형성될 것입니다. 이에 관해서 지난 난에서 설명한 바에 첨부를 하자면 대표적인 sputter인 magnetron의 동작에는 강한 자기장도 전기장이 형성되어 있는 환경입니다. 이들 전/자기장이 힘을 전달하는 입자는 하전 입자들입니다. 하지만 산화 막이나 sputter되어서 튀어나오는 입자들의 대부분은 전기적으로 중성을 띄고 있는 입자, 즉 중성 상태입니다. 이들은 전/자기장에 의해서 영향을 거의 받지 않으며 주로 운동량에 따라 움직이게 됩니다. 이 같은 환경에서는 화학 반응이 주된 반응 물리적인 반응보다 더 효율적인 반응이 됩니다. 따라서 sputter 표면 근방에서 형성된 중성 입자들의 움직임은 주로 충돌에 의한 운동량의 변화에 기인되게 되며 이들 중성 입자들이 반응기 공간 내로 혹은 다시 sputter 표면으로 움직이게 되는 인자를 제공하게 됩니다. 나아가 충돌이 주요 인자가 되다 보니 반응기 내에서의 평균 충돌 거리가 중요한 변수가 됩니다. 충돌거리가 짧게 되면 당연히 표면으로부터 이탈되어 나오던 입자들이 충돌에 의해서 되돌아 가는 확률이 높아질 것입니다. 여기서 생각해야 할 문제는 입자들의 화학적 반응성, 평균 충돌 거리등이며 전/자기장은 하전 입자들에 대새서 작용한다는 것 등입니다. 또한 sputter에서도 화학적인 반응의 결과들, 즉 sputter표면의 막의 형성, 과 물리적인 반응의 결과, sputtering은 늘 서로 경쟁을 하고 있다고 생각할 수 있습니다. 이는 조금 차이는 나지만 식각에서도 유사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103001
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24693
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61456
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73494
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105867
74 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4930
73 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4983
72 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5944
71 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 6274
70 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6466
69 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6752
68 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6776
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6950
66 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6986
65 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7020
64 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7963
63 고온 플라즈마 관련 8160
62 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8285
61 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도] [1] 8372
60 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 9051
59 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9340
58 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9856
57 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사] [1] 10704
56 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 12474
55 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13087

Boards


XE Login