ICP chamber 방식이며 Generator는 13.56MHz, 1.5kw두개를 사용할경우

matcher제작 or 분석을 하려는데 국내, 일본 회사에서는 불가능 할것 같다고 합니다.

미국의 AE, MKS를 제외하고 RF matcher나 Generator 방면에서 기술력을 갖고 있는

회사가 있을까요?

혹시 알고 계신곳이 있으면 가르쳐 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [311] 79043
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21202
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58016
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69566
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94285
73 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4532
72 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5644
71 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 5679
70 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6228
69 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6252
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6474
67 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6555
66 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6600
65 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6611
64 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 7251
63 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7766
62 고온 플라즈마 관련 8108
61 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도] [1] 8140
60 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 8740
59 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9296
58 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9624
» 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사] [1] 10419
56 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 11859
55 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 12717
54 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 14765

Boards


XE Login