1. 대상에 따라서, feature 크기에 따라서 다르겠지요. 다만 radical rich 한 ICP와 ion energy driven process를 지향하는 CCP의 특장이 섞이는 상황을 필연적일 것 같습니다. 다만 이 경우 각 특장을 세밀하게 제어할 수 있어야 hybrid 의 의미가 살아날 수가 있겠지요. 따라서 ICP+CCP 보다는 ICP의 특징과 CCP의 특징이 대상 공정의 한계를 극복하는 인자로 정밀 제어가 되는 장비가 필요할 것 같습니다.

2. Self bias는 이온 flux와 전자 flux가 타킷 표면에서 같은 크기가 되도록 하는 표면의 전위, 부유 전위를 의미하는데, 전자는 빠르게 쉬스 공간을 통과하며 상대적으로 이온은 매우 느려서 시간이 걸립니다. 따라서 self bias 는 전자와 이온이 충분히 거동을 한 후에 표면에 형성 되는 하전량에 따르는 전위 값이 되고,  따라서 주파수레 평균한 값으로 관찰 할 수가 있습니다. 여기서 주파수의 영향을 굳이 이야기 한다면 전자 플라즈마 주파수는 충분히 크므로, 이온 주파수를 기준으로 평가를 해 보는 것이 맞겠고, 이온의 거동을 충분히 보장하면 빨리 부유 전위로 안정화가 될 것이고, 이보다 빠르면 부유 전위 안정화는 늦어지게 될 것입니다. 하지만 최종적으로 전위 값에는 영향을 크게 미치는 않을 것입니다. 오히려 bias RF의 Vpp 값이 민감하게 됩니다. (Butler, Kino, Phys. Fluids 6 , 1346 (1963) 참조)

3. 전자온도와 이온 온도는 상관관계가 있습니다. 하지만 분포가 서로 연관이 있다/ 없다는 판단하기 어렵습니다. 먼저 전자 온도는 일반적으로 충돌을 많이하는 가벼운 입자로서 전기장에서 에너지를 얻고, 중성 가스 원자 및 분자들과 충돌을 하면서 에너지를 교환하는 단순 충돌을 겪으면서 열적 평형상태가 됩니다. 이러한 평형상태를 일컫어 전자 온도는 Maxwell 분포를 갖다고 합니다. 전자 분포는 충돌과 밀접함을 알 수 있는데, 공정 플라즈마에서는 해리, 여기, 이온화, 혹은 흡착 등의 충돌이 빈번하며 그 충돌 빈도수도 매우 높습니다. 이들 충돌 반응은 특정 에너지 이상에서 일어나므로 이들 충돌이 빈번해 지는 경우 전자의 분포 함수는 Maxwell 으로 부터 왜곡되게 되고, 이를  non-Maxwellian 를 갖는다고 합니다. 또한 이온들도 가속이 되고 중성원자나 분자들과 충돌을 하게 되므로 자신만의 Maxwell 분포를 가집니다. 우리가 온도라 하는 값은 이 분포의 벌어진 정도를 의미한다고 할 수 있으므로, 전자의 분포는 매우 넓게 벌어져 있는 경우이고, 이온은 매우 좁게 벌어져 있는 경우에 해당합니다. 따라서 전자의 에너지 분포가 이온의 에너지 분포에 영향을 미쳤는가는 매우 미미할 것이나, 높은 에너지를 가진, 즉 전자 온도가 높을 경우의 전자들이 충돌을 많이 한다면 이온 생성이 커질 것입니다 (물로 이들 전자들과 충돌에서 큰 에너지 전달이 가능할 수 있습니다. ) 또한  이 경우에 전자를 가속시키는 전기장이 크다는 의미가 배경에 있으므로, 이온도 그 에너지를 받으면서 열적 평형상태로 존재하게 되므로 이온의 온도도 높아질 가능성이 있게 됩니다.

이해에 도움이 되었으면 합니다.

1. Vpp에 자기 바이어스 값의 비례는 본 계시판과 관련 정보를 보면 충분히 이해가 가능합니다.

2. 전자온도와 밀도의 관계는 입력, 즉 플라즈마를 생성시키는데 들어가는 전력이 일정하다는 가정을 하면 이해가 쉽습니다. 대부분의 경우에 해당합니다. 하지만 입력 전력에 따라서 반드시 이 경우가 적용된다고 할 수는 없습니다. 실제 운전 압력 (장치 구조 포함), 가스의 종류 즉 이온화 특성들이 밀도/온도를 결정짓는 요소가 되곤 합니다. 또한 정합 특성도 함수가 되겠습니다. 

- 다른 분은 또 다른 생각으로 플라즈마를 바라 볼 수는 있습니다. 제 생각을 말씀드렸습니다.