안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76411
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19992
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68542
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91339
59 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1159
58 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1143
57 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1130
56 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1123
55 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1110
54 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1091
53 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1064
52 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1054
51 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1052
50 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1048
49 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1027
48 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 989
47 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 914
46 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 911
45 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 857
44 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 836
43 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 830
42 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 823
41 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 731
40 ICP 후 변색 질문 712

Boards


XE Login