안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다. 

 

최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.

RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다. 

가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.

 

감사합니다.

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