Sputtering sputter

2004.06.25 10:55

관리자 조회 수:16988 추천:267

질문 ::

Glass ITO(Indium tin Oxide) sputter coating을 할때
온도의 변화가 막에 어떤 영향을 주는지 알고 싶네요..
온도의 변화가 중요한 영향을 미치는것으로 알고있습니다.
답변 부탁드립니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103309
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24714
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61523
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73517
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105945
74 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4947
73 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4990
72 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5948
71 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 6286
70 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6468
69 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6754
68 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6780
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6955
66 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6998
65 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7032
64 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7966
63 고온 플라즈마 관련 8162
62 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8305
61 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도] [1] 8374
60 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 9057
59 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9340
58 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9857
57 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사] [1] 10708
56 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 12485
55 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13103
쓰기
태그

Boards

XE Login