Etch doping type에 따른 ER 차이
2022.02.22 19:14
안녕하세요.
반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.
다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.
Gas는 Cl2 N2 base로
Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는
SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데
Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는
Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.
혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?
P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서
그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?
Bonding energy나
Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서
결론을 못내리고 있습니다.
추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?
감사합니다.
이주현 드림.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76861 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20264 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68749 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92637 |
676 | 플라즈마 진단법에 대하여 [1] | 20580 |
675 | 확산펌프 | 20524 |
674 | wafer 전하 소거: 경험 있습니다. | 20483 |
673 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20432 |
672 | Langmuir probe tip 재료 | 20411 |
671 | CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] | 20392 |
670 | 상압 플라즈마 방전에 관한 문의 [1] | 20312 |
669 | 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [1] | 20262 |
668 | 형광등과 플라즈마 | 20256 |
667 | 플라즈마 matching | 20251 |
666 | DBD플라즈마와 플라즈마 impedance | 20213 |
665 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20206 |
664 | 플라즈마 진동수와 전자온도 | 20063 |
663 | 석영이 사용되는 이유? [1] | 20037 |
662 | CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유 | 20012 |
661 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19842 |
660 | 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] | 19783 |
659 | 상압플라즈마에서 온도와의 관계를 알고 싶습니다. | 19766 |
658 | PM을 한번 하시죠 | 19732 |