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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
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72 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5576
71 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5587
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6114
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68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6394
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60 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8685
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