Deposition 박막 형성
2004.06.21 15:10
박막 형성
ICP장치에 관해서는 참고서적을 이용하시고 sputter(본란에서 설명을 하였습니다. 참고하기 바랍니다.)를 이용하여 상온 target에
박막을 형성시키는 것은 가능합니다. 입히고자 하는 박막이나 시편의 성질에 따라서 시편의 온도를 조절해야 함은 당연할 것 입니다.
적절한 온도에서 박막이 잘 성장하게 되며 이에 대해서도 이미 설명드린 바가 있습니다. 한가지 더 고려해야 할 것은 금속 박막
성장을 위한 방법으로 MOCVD방법이 있으니 이를 공부해 보는 것도 좋은 방법입니다. MOCVD는 sputter로 가능하지 않은 금속 물질등
의 박막 성장에 사용하는 방법입니다.
ICP에 관한 자료는 일단 다음 교재를 참고하기 바랍니다.
1. M.A. Lieberman & A.J.Lichtenberg "Principles of plasma discharges and material processing (1994,Jhon Wiley & Sons.Inc)
2. J.R.Roth, "Industrial Plasma Engineering : Vol.1 Principles" (1995, Institute of Physics Publishing)
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93632 |
72 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5576 |
71 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 5587 |
70 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] ![]() | 6114 |
69 | 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 | 6177 |
68 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 6394 |
67 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6529 |
66 | 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] | 6531 |
65 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6589 |
64 | 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] | 7053 |
63 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7736 |
62 | 고온 플라즈마 관련 | 8096 |
61 | 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] | 8103 |
60 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8685 |
59 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9290 |
58 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9594 |
57 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10378 |
56 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11725 |
55 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12659 |
54 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14751 |
53 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15082 |