안녕하세요.

 

반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.

 

Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

 

CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.

 

로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.

 

RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.

 

제가 궁금한 점은

 

1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?

 

2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?

 

3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?

 

이상입니다. 감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77211
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68901
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
44 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 750
43 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 745
42 ICP 후 변색 질문 743
» 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 741
40 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 716
39 Polymer Temp Etch [1] 712
38 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 699
37 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 686
36 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 676
35 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 642
34 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 639
33 RF Sputtering Target Issue [2] file 635
32 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 630
31 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 618
30 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 606
29 PECVD Uniformity [1] 592
28 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 574
27 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 554
26 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 513
25 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 478

Boards


XE Login