안녕하세요

디스플레이 업계에서 OLED 및 Organic 담당 연구중인 직장인입니다.

물질 증착 전후로 Plasma를 활용한 표면 처리를 하게되는 경우가 있어, 몇가지 질문드립니다.

 

Ar/O2 Plasma

큰 에너지를 가진 무거운 이온이 대상의 표면에 충돌해 Sputtering 효과로 미세 마모를 일으켜 오염 물질 제거와 증발이 발생되고

plasma로 이온화된 산소들이 표면 물질과 반응해 세정 효과를 나타낸다

 

위와 같이 알고 있는데, Ar/O2 Plasma를 유기물이나 무기물 혼합물에 적용시킬 경우에

현재는 물질에 Plasma 공정을 적용시킨 Device를 만들어 전기적 특성으로 확인하고 있는데,

Plasma로 인해 물질의 기존 특성이 파괴되는건지, 표면만 세정되어 개질이 일어나 특성이 바뀌는지

원리 분석이 필요해보여 이를 어떤 방법으로 알아봐야하는지 알려주시면 감사하겠습니다. 

 

그리고, O2 Ashing 처리도 표면개질을 위해 진행하는 경우가 있는데,

O2 Ashing과 Ar/O2 Plasma는 장비에 따라 VUV(Vacuum-UV) 발생으로 Organic bonds(유기 결합) 분해를 일으킨다

이외에 어떤 차이가 있나요?

 

마지막으로 Plasma와는 별개인데,

UV-O3 treatment 방식으로 표면개질을 진행할 경우에는 물리적 충돌을 제외한 UV로 인해

발생된 O3로 유기 결합 분해만 일어난다고 이해하면 될까요?

 

부족한 지식으로 질문이 다소 난해해 죄송합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78047
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20850
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57738
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93636
52 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 800
51 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 777
50 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 775
49 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 766
48 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 765
47 ICP 후 변색 질문 763
46 Polymer Temp Etch [1] 758
45 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 739
44 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 711
43 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 711
42 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 687
41 RF Sputtering Target Issue [2] file 677
40 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 673
» Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 668
38 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 665
37 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 656
36 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 633
35 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 629
34 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 584
33 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 548

Boards


XE Login