Others RPC CLEAN 시 THD 발생
2018.10.25 14:48
안녕하세요 반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.
현재 저희 설비에 2개의 CHAMBER가 달려 있습니다. RPC CLEAN을 사용하는 장비인데
두 CH가 동시에 CLEAN이 동작하게되면 공급단 POWER 관련하여 지속적인 ERROR 가 발생을 합니다.(따로 진행시 문제 없음)
고조파 측정시 2개의 CH가 동시에 CLEAN 진행시 높아지는 현상을 발견 하였으나, 그 원인을 찾기 힘들어 질문 드립니다.
POWER CABLING이 의심 되는 상황이나, CABLE 길이 및 위치, 혹은 말림 정도가 영향이 있는지 문의 드리고, 혹시 이 외에 다른 원인을 추측할만한 내용이 있을지 질문 드립니다.
현재 CABLE 연결 상태 및 POWER SUPPLY(설비단) 교체 등 다른 방법을 진행 해 보았으나, 현상이 동일하게 발생하여 설비단 보다는 공급단쪽 POWER를 의심하고 있는 상태 입니다.
혹시 이 글과 관련된 경험이 있으신분은 답변 부탁 드리겠습니다.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93631 |
679 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 631 |
678 | 플라즈마 기본 사양 문의 [1] | 633 |
677 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 633 |
676 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 651 |
675 |
진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문
[1] ![]() | 652 |
674 |
Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다.
[1] ![]() | 656 |
673 | OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] | 660 |
672 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 665 |
671 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 666 |
670 | OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] | 669 |
669 | PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] | 673 |
668 |
RF Sputtering Target Issue
[2] ![]() | 677 |
» | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 680 |
666 | PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [RF 전원과 matcher] [2] | 683 |
665 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 687 |
664 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 689 |
663 | Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] | 689 |
662 | 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] | 691 |
661 | Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] | 705 |
660 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 706 |
제 생각에는 2개의 chamber가 cross talk을 하는 것 같습니다. Rf shield 와 ground 부분의 강화가 필요하지 않을까 합니다만,
경험자 및 전문가의 의견을 기다리겠습니다.