Others RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유
2022.07.08 16:18
안녕하세요. 최근 RF Power Reflect 감소를 위해 Plasma에 대해 공부하고 있는, 반도체 회사 직장인입니다.
다름이 아니라, RF Power의 Hunting성 Reflect를 감소하기 위해 Gas Flow를 Ramping 형식으로 평가한 자료를 보내되었습니다.
Gas를 이와 같이 점진적으로 증가시키며 Flow할 때와, 한번에 Set Flow를 했을 때
Plasma 형성의 차이와, 왜 이 같은 방식이 RF Power의 Hunting을 감소시키기 위한 방안인지에 대한 상관관계에 대해 궁금증이 생겨 글을 남기게 되었습니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20183 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68698 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
| 649 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 680 |
| 648 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 687 |
| 647 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 694 |
| 646 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 696 |
| 645 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 700 |
| 644 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 701 |
| 643 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 705 |
| 642 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 707 |
| 641 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 709 |
| 640 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 711 |
| 639 | ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] | 714 |
| 638 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 715 |
| 637 | ICP 후 변색 질문 | 725 |
| 636 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 726 |
| 635 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 736 |
| 634 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 737 |
| 633 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 740 |
| 632 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 745 |
| 631 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 749 |
| 630 | 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] | 755 |
안녕하세요. 플라즈마 응용연구실 박사과정생 이하늘, 이인규 입니다. 저희 연구실 홈페이지에 질문 주시어 감사합니다.
질문 주신 내용을 플라즈마 발생을 위한 RF power 인가 상황에서 gas flow 의 점진적 증가 조건과 단번에 set flow rate 으로의 도달 조건에서의 차이에 관한 질문으로 이해한 후 아래 답변을 준비했습니다.
RF power 의 reflection 은 Rf power supply 의 출력 안정성 및 auto matcher 의 preset position, 매칭 알고리즘(소요 시간) 등에 의해 크게 의존합니다. 따라서 RF power supply 에 문제가 없다는 가정 하에 gas flow 의 ramping 형식이 RF power 의 haunting 성 reflection 발생에 영향을 미쳤다는 말씀은 특정 gas flow ramping 조건에서 matcher 의 matching 성능이 우수했음을 의미합니다. 한편 matching condition(position) 은 챔버 및 플라즈마의 임피던스에 크게 의존합니다. 특히 플라즈마 임피던스는 전자 밀도 및 전자-중성기체 충돌 주파수에 의존도가 크므로, 말씀하신 gas flow 의 ramping 형식은 방전 초기 플라즈마 압력을 결정하여 전자-중성 기체 충돌 주파수 변화에 기여했을 것으로 예상됩니다. 이는 플라즈마 임피던스에 영향을 미쳐 결과적으로는 auto matcher 가 matching position 을 수월하게 만족시키는 조건으로 변화한 결과일 것으로 예상이 됩니다.
섣불리 단정 짓기는 어렵지만, RF power 인가 및 가스 flow ramping 동작 간 matcher 데이터를 포함한 시계열 장비 데이터를 관찰하시면 힌트를 얻으실 수 있지 않을까 사료됩니다.
추가로 질문하실 사항 있으시면 댓글 남겨주시면 답변드리겠습니다. 감사합니다.