Plasma Source H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [ICP와 H field]

2020.06.09 18:30

김상규 조회 수:650

안녕하세요 플라즈마 소스개발을 하고 있는 김상규라고 합니다.

전자기장 시뮬레이션을 통해 ICP Source 를 개발 중에 있습니다만 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.

조건 : 1000mm X 1000mm chamber , process gap 250mm , icp source , H-field 관측 , Source only (bias x)

현상 : 상부 Antenna 근처에서 측정(antenna로 부터 30mm)  Map 이 center high 인데 substrate (substrate 표면으로 부터 5mm) 로 내려오  면 center 가 low 가 됨. (stage 에 절연층을 쌓아도 비슷함)

질문 : side, 4corner 가 low 로 되는 것은 챔버 벽면으로 electron 이 빠져나가면서 그럴수 있다고 생각 됩니다만

          왜 Chamber 벽면에서 가장 먼 가장자리(substrate center position) 의 field 가 약해지는 것 인지 궁금합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103008
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24693
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61458
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73495
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105869
33 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 834
32 ICP에서의 Self bias 효과 [DC offset voltage와 floating potential] [1] 822
31 핵융합 질문 [NFRI 국가핵융합 연구소] [1] 804
30 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [열플라즈마와 "플라즈마 금속학"] [1] 793
29 수중방전에 대해 질문있습니다. [플라즈마 생성 및 방전] [1] 783
28 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 749
27 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [Powder] [1] 742
26 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [플라즈마 생성 반응] [1] 696
25 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 690
24 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [Plasma breakdown과 살균 과정] [1] file 683
23 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 662
» H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [ICP와 H field] [1] 650
21 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [RF 전원과 매칭] [1] 642
20 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [HV probe 전압 측정] [2] file 636
19 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 610
18 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 567
17 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 565
16 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [전자 충돌 현상 및 입자 충돌 현상] [1] 556
15 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해] [1] 500
14 대기압 플라즈마 문의드립니다 [플라즈마 전원 이해] [1] 478
쓰기
태그

Boards

XE Login