Plasma Source ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [플라즈마 생성 반응]

2024.01.07 14:39

키퀴 조회 수:696

안녕하세요 현재 ICP 방식의 Dry Etch 설비를 다루는 엔지니어입니다

 

제가 3년차인데 아직 Plasma 생성 개념이 완벽하진 않아서 그런거 같은데 

 

설비의 ER이 느리다고 판단되면 TCP PWR를 상향하거나 Bias Power를 상향해서 ER을 빠르게 하는데요 

Bias Power를 상향하면 양이온의 직진성, 양이온을 가속시켜 ER 빨라진다고 알고있는데 

 

TCP POWER(Source Forward Power)를 상향시키면 왜 ER이 상향 되는지 궁금합니다. 

 

혼자서 막 생각도 해보고 Plasma 생성 방법에 대해서도 공부를 해봤는데 

제가 전기 개념을 잘 몰라서 그런건지.. 잘 이해가 되지 않고 다가 오지 않습니다

 

잘 알려주시면 감사히 배우겠습니다 

 

새해 복 많이 받으세요!

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