안녕하세요. PEALD 장비를 개발하고 있는 연구원입니다.

 

보통 플라즈마의 장점이라 하면, 낮은 온도에서 공정이 가능하다는 점인데,

 

증착을 예로 들어, 플라즈마가 분해온도를 낮춰주는 역할을 하여 낮은 온도에서도 증착이 가능합니다.

 

현재 상온에서 증착 진행을 목표로, PEALD 4step 단계에서 3번째 step인 O2에서도 플라즈마를 넣지만,

 

낮은 온도에서의 TMA 분해를 위해 1step 에서도 플라즈마를 넣습니다. 여기서 궁금점이,

 

플라즈마가 TMA와 같은 전구체에 충돌을 하게 되면, 플라즈마의 전자가 몇 eV를 가질 때, 실제로 

 

얼마만큼의 에너지를 전달하는지, 온도를 얼마나 올려주게 되는 역할을 하는지 궁금합니다.

 

이와 관련된 논문 있어도 추천해주시면 정말 감사하겠습니다.

 

찾아봐도 플라즈마 전자의 eV(온도, 에너지) - 충돌하는 분자 에너지 전달 메커니즘 or 상관관계가 없더라구요,,

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68689
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92258
19 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 513
18 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 499
17 plasma striation 관련 문의 [1] file 470
16 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 469
15 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 435
14 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 433
13 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 350
» 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 317
11 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 248
10 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 157
9 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 145
8 ICP에서 전자의 가속 [1] 132
7 skin depth에 대한 이해 [1] 118
6 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 114
5 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 101
4 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 81
3 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 79
2 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 71
1 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 20

Boards


XE Login