안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78039
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20848
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93635
119 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1867
118 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1803
117 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1787
116 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1774
115 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1744
114 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1612
113 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1596
112 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1566
111 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1502
110 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1496
109 플라즈마 관련 교육 [1] 1491
108 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1473
» O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1466
106 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1461
105 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1426
104 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1426
103 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1410
102 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1375
101 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1351
100 플라즈마 기초입니다 [1] 1313

Boards


XE Login