안녕하세요.

 

반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.

 

Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

 

CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.

 

로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.

 

RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.

 

제가 궁금한 점은

 

1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?

 

2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?

 

3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?

 

이상입니다. 감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77219
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68902
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92950
646 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 726
645 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 735
» 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 741
643 ICP 후 변색 질문 743
642 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 745
641 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 748
640 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 750
639 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 753
638 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 755
637 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 758
636 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 759
635 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 768
634 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 770
633 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 770
632 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 774
631 교수님 질문이 있습니다. [1] 778
630 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 783
629 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 791
628 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 796
627 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 799

Boards


XE Login