안녕하세요. 

저희 장비에서 RF는 상부와 하부로 나뉘어져 있고 하부 쪽에서 Vpp가 측정됩니다. 보통 이것과 Ion energy를 비례하게 해석하던데, 어떻게 연결 지어야 하는지 궁금합니다.

장비 설명에서 Vpp는 RF Matcher의 Position으로부터 도출되는 것이라고 설명되있었습니다.

즉 하부에서 RF reflect가 존재해야 Vpp가 계산된다는 것인데, 이것으로 어떻게 Ion Energy를 예상하는지...

일반적으로 입사되는 Ion이나 전자의 전하 움직임을 Reflect로 해석하는 것인가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76888
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20282
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92712
117 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6540
116 MFP에 대해서.. [1] 7830
115 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 8127
114 핵융합에 대하여 8564
113 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8582
112 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8741
111 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8929
110 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 9006
109 안녕하세요 교수님. [1] 9044
108 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] 9256
» Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9533
106 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10386
105 DC bias (Self bias) [3] 11306
104 플라즈마 살균 방식 [2] 11491
103 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. 12364
102 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12772
101 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13066
100 플라즈마의 상태 14083
99 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 14145
98 우주에서의 플라즈마의 성분비 14589

Boards


XE Login