Plasma in general low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜.
2021.04.09 12:04
안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.
다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데
왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] | 75788 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19471 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56677 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68065 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90360 |
| 108 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1557 |
| 107 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1516 |
| 106 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1500 |
| 105 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1489 |
| 104 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1462 |
| 103 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1435 |
| 102 | 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] | 1411 |
| 101 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1408 |
| 100 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1400 |
| 99 | PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] | 1394 |
| 98 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1372 |
| 97 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1355 |
| 96 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1353 |
| » | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1256 |
| 94 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1245 |
| 93 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1218 |
| 92 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1216 |
| 91 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1207 |
| 90 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1187 |
| 89 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1180 |
아크 발생을 이해하기 위해서는 파션커브를 이해해 보시면 좋을 것 같습니다. 파괴전압-압력x길이(전극간의 거리 혹은 평균충돌 거리)로 pd 곡선이라고도 합니다. 본 게시판에서 글로우 방전, 파센곡선(커브) 으로 찾아 보시면 압력과 전기장과 재료 특성이 방전 개시에 미치는 영향이 있음을 이해하시는 데 도움이 클 것입니다. 아울러 챔버 내 기구 내에서 아크 및 벽면 분순물 근방 혹은 SH에서의 아크 등의 현상을 이해하시는데 도움이 됩니다.