Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
2010.01.20 17:55
안녕하세요.
N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.
10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.
그 이유를 자세히 알고 싶은데요.
빠른 답변좀 부탁 드릴께요.
예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로
생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.
감사합니다.
댓글 2
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76858 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20263 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68748 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92612 |
| 77 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23088 |
| 76 | No. of antenna coil turns for ICP | 23106 |
| 75 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23143 |
| 74 | DC glow discharge | 23259 |
| 73 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23267 |
| 72 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23340 |
| 71 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23399 |
| 70 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23455 |
| » | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23771 |
| 68 | Arcing | 23839 |
| 67 | 플라즈마 쉬스 | 23946 |
| 66 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23985 |
| 65 | self Bias voltage | 24072 |
| 64 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 63 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24183 |
| 62 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24345 |
| 61 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24350 |
| 60 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24522 |
| 59 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
 | 24606 |
| 58 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24666 |