Hello,

I am working on a ALD (Atomic layer deposition) product wherein we are processing multiple wafers in the single reactor. 

When we supply RF power to one of the reactor (i.e. REACTOR 1), the other reactor (REACTOR 2) beside reactor 1 is showing high Vpp value. We are not supplying RF power to reactor 2. (Please note reactor 1 & reactor 2 share the gas flow volume and are not fully isolated)
Why would this be happening ? 

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682 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 711
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676 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [Sheath 전기장 및 instability] [1] file 726
675 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 742
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673 RPC ClEAN시 THD 발생 [RF shield와 ground의 강화] [1] 760
672 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [데이터+플라즈마광학 모델] [1] 760
671 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 760
670 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [플라즈마 밀도 및 전위 제어] [1] 771
669 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 778
668 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 781
667 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 781
666 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [질소 플라즈마] [1] 782
665 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide] [2] 786

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