안녕하세요 교수님, ICP 설비를 맡고 있는 엔지니어입니다.

 

오늘은 Micro arc 형성 과정에 대해 질문 드리고 싶고, 목표는 Arc에 의한 Particle Issue를 해결위해 RCP 를 개선해보고 싶습니다.

 

크게 세가지가 궁금한데요

1. Arc 발생 이유는 흔히 Plasma 를 설명할 때 나오는 DC V-I graph 로 이해하면 될까요? 이해한 바로는 plasma bulk와 electrode 사이에 다시한번 breakdown이 일어나고, 열이 발생하는 region으로 알고 있습니다. 그리고 Conrona 방전과 streamer 는 상관없는 것인지 궁금합니다.

 

2. 만일 위 질문과 같은 mechanism이 맞다면, Chamber wall에서 breakdown은 어떻게 일어나는 것인지요? 지난 질문을 통해 전자레인지현상으로 받아는 들였습니다만 왜 불꽃이 일어나는지 or 챔버라면 왜 chamber wall이 타고 뜯겨져 나가게 되는 것인지 궁금합니다.

 

3. 이를 제어하려면 어떻게 해야할까요? 

말씀드린 것 처럼 ICP TYPE 설비로, 아킹이 발생되는 step은 BIAS POWER를 인가하는 시점으로 추정됩니다.(sensor 통해 확인)

BIAS POWER 인가 시점에 어떤 문제가 있는지 확인해봤더니 Pressure가 급격히 증가합니다. 또한 부드럽게 증가하지 않고 진동하며 증가하는 부분도 확인했습니다. 여기서 궁금한 것은, pressure 증가와 Micro arc의 상관관계입니다. 이미 Top power에 의해 plasma가 형성 되어있는 상황에서 Bias power를 on 하는데요, 이 시점에 Pressure를 급격히 증가시키는 것이 Arc region으로 넘어가는 이유인 것을 이해하고 싶습니다. DC V-I Graph에서 Arc region으로 넘어가는 이유가 저항이 감소하는 것인 것과 동일한 것인지 알고 싶고, 맞다면 arc region으로 넘어가지 않게, 전극에 Charging 되지 않도록 해주면 개선 되는 것일까요.

 

 

교수님의 조언과 지도로 현장에서 큰 도움되고 있습니다. 늘 감사드립니다.

 

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