안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.

몇가지 질문 드리려 가입했습니다.

1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)

2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.

답변 달아주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5801
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17213
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53030
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64476
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85090
498 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1011
497 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1012
» 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1014
495 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1016
494 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1027
493 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1036
492 자기 거울에 관하여 1037
491 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1048
490 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1063
489 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1063
488 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1065
487 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1066
486 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1092
485 플라즈마 기초입니다 [1] 1124
484 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1129
483 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1146
482 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1146
481 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1170
480 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1172
479 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1189

Boards


XE Login