안녕하세요.

 

반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.

 

Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

 

CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.

 

로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.

 

RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.

 

제가 궁금한 점은

 

1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?

 

2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?

 

3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?

 

이상입니다. 감사합니다!

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