OES OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법
2022.10.31 18:24
안녕하십니까, 플라즈마 관련하여 공부하고 있으며 디스플레이 업체에 근무하고있습니다.
몇 가지 궁금증이 있어서 글을 남기게 되었습니다.
OES의 경우 Plasma 정성적 특성을 계측하기 위하여 주로 사용된다고 알고 있습니다. 실제로 Gas 트랜드 및 Chamber 분위기 등의 변화를
계측할때 사용하고 있습니다.
그런데, OES를 가지고 정량적 측정을 한다는 이야기를 들어서 여쭤보려합니다.
(RGA를 이용한 방법은 몇 가지 논문을 확인하였으나, OES는 생소합니다.)
1. 정량적 측정을 하는 방식이 궁금합니다. (혹시 추천해줄 논문 or 자료가 있으시면 읽어보겠습니다.)
2. 현재 OES를 사용하여, Chamber 내 H(수소) 함량을 알려고 하는데 가능한지 여쭤보려합니다. (Ar 가스 or N2 가스가 아닙니다.)
3. 만약 가능하다면, 참고 할만한 자료가 있으면 추천 부탁드립니다.
*PECVD Deposition 공정에서 OES를 통한 H(수소) 함량에 따른 Wafer 막질의 변화를 확인하기 위하여 진행하려합니다.
여러가지 다양한 질문과 답변을 통하여 자료를 찾는데 많은 도움을 받고 있습니다.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 74949 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18797 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56278 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66775 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88221 |
699 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 271 |
698 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 287 |
697 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 289 |
696 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 291 |
695 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 294 |
694 | self bias [1] | 299 |
693 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 314 |
692 |
plasma striation 관련 문의
[1] ![]() | 314 |
691 |
Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1] ![]() | 317 |
690 | Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 | 318 |
689 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 328 |
688 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 338 |
687 | 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] | 343 |
686 | OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] | 346 |
685 |
RF Sputtering Target Issue
[2] ![]() | 349 |
684 |
입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate
![]() | 350 |
683 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 353 |
682 |
염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다.
[1] ![]() | 358 |
681 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 358 |
680 | H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] | 363 |
수소 또는 Ar 단원자 진단을 먼저 경험하시기를 추천합니다. 수소 관련해서는 전통적인 방법들이 많이 소개가 되어 있고, 아르곤에 대해서는 Boffard 연구와 X. Zhu 및 저희 연구실 논문 등을 참고하시면서 경험을 쌓아 가시면 좋을 것 같습니다.
먼저 사용하시는 OES 장치의 calibration 도 추천합니다.
이 경험을 기반으로 현 상태에서 OES full spectrum 에서 수소 신호를 찾아 보시고, 공정 조건에 따라서 변화가 큰 신호를 선택해서
자료로 만들어 보세요. peak 값의 변동을 기준으로 공정 결과 (막질) 분석 값을 모아 보시기 바랍니다. 이 변화는 기본적으로 플라즈마 밀도의 변화를 의미할 것입니다. 아마도 플라즈마 온도 변화가 크지 않다는 가정이고, 이 가정은 유지가 될 것 같습니다.
좋은 결과 얻어 보시길 바랍니다.