안녕하세요. Etch 공정엔지니어 입니다.

 

최근 SiC ring을 사용하는 장비에서 edge 부분에 몰림성 deffect이 떠서 장비적으로, 공정적으로 개선 중입니다.

 

그 중 ISD관령하여 질문이 있습니다

 

OES 파형 기반으로 RCP를 만드는 중인데 대략적인 RCP는 O2 Plasma > Nf3 plasma > O2 plasma입니다.

 

OES파형에서 보면

첫번째 O2 BURN에서 carbon polymer, Si polymer가 줄어드는 것을 관찰 할 수 있는데요.

 

두번째 NF3 Plasma를 키면 잔여 si ploymer가 점차 줄어들며 파형의 세기가 saturation 되는 것을 볼 수 있었습니다. 그런데 Carbon polymer가 etch 되면서 나오는 파형 중 하나인 CF, Cf2는 우 상향으로 byproduct가 줄어드는 모양이 아니더라구요. 혹시 SiC ring의 식각으로 인해 cf파형이 늘어날 수도 있을ㅋ가요?

 

추가로 CN 파형은 줄어들더라구요..CF파형이 양의 기울기로 늘어난다는게 part 중 하나가 식각되는게 아니면 이해가 가질 않습니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] 75771
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19456
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56673
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68034
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90328
738 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 211
737 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 214
736 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 235
735 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 238
734 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 239
733 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 244
732 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 252
731 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 253
730 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 256
729 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 258
728 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 259
727 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 262
726 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 262
725 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 264
724 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 271
723 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 276
722 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 278
721 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 281
720 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 285
719 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 291

Boards


XE Login