안녕하세요 ICP Dry Etch 설비를 운용하는 엔지니어입니다. 

 

일전에도 비슷한 질문을 하긴 했는데요, 추가로 궁금한것이 있어 질문드립니다. 

 

 설비 문제점 발생 :  

- 13.56MHz를 Bias1으로 50w, Striking 및 Etch로 사용하는 Recipe에서만 DC bias 발생하고 있는데요. 특정 step에서만 Trend 내 Hunting이 발생하고 있고, 다른 Step에서도 동일하게 Bias1을 사용하는데 문제점이 발생하지 않고 있습니다.

- 해당 문제는 매 w/f 진행 간 발생하는것이 아닌 한번 발생하면 추가 발생 빈도수가 높은 문제가 있습니다. 

 

1. 관리하는 Parameter에서 DC Bias란 W/F 와 Plasma에 인가된 전압으로 알고 있는데요, Etch 하고자 하는 Layer의 계면 및 Gas, etchant 등으로 DC Bias가 영향이 많이 갈까요? 

 

 

2. 1번 질문이 맞다면, Hbr로 si layer를 etch할 때 ion Energy, DC Bias가 Hunting하는 과정이 궁금합니다. 

> Hbr이 Si Layer를 etch 하면서 SiBr4가 날라가면서 DC bias가 hunting 하는지...?

 

 

3. 해당 문제는 HW적인 조치로 발생율을 완화하고 있는데요, PLASMA RF RETRUN PATH로 작용하는 설비 내 CATHODE와 연결되는 PARTS를 교체하고 있습니다. 

해당 PARTS는 원형 평면구조로 ESC 둘레로 장착되며, Y2O3로 코팅되어 있는데요, HBr의 gas 영향성으로 Si layer를 ETCH 하는 과정에서 RF RETRUN PATH로 작용하는걸 방해 할 수 있을까요? 

 

감사합니다. 

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