안녕하세요

 

remote plasma 를 이용한 sio2 pre-cleaning 장비 개발을 진행중 궁금점이 생겨 질문남깁니다.

 

우선 개발중인 장비는 NF3+Ar을 Plasma로 인가 시키고 NH3는 gas 상태로 챔버에 공급하고 있습니다.

 

제가 알고 있는 지식으로는 NF3와 NH3의 비율로 SiO2의 식각량이 정해지고 이는 에천트와 SiO2가 반응했을때 생성되는 (NH4)2SiF6 층으로 인해 에천트와 SIO2가 반응을 못하여 self limiting 되는것으로 알고 있습니다.

 

현재 장비 개발을 위한 실험도중 etching time split을 진행하였는데

 

초반구간에선 식각량이 상승하였고, 중반구간에서 식각량이 limiting 되는것을 확인하였습니다.

 

추가적으로 etching time을 더 늘렸더니 식각량이 다시 증가하였습니다.

 

관련 자료들을 찾아보아도 'self limiting이 된다' 라는 자료는 많지만 그 이후 상황에 대한 자료를 찾지 못하여 문의 드립니다.

 

이와 별개로 plasma source를 챔버내부에 인가시켰을때 배기구 쪽으로 source가 계속 흐를텐데 플라즈마 쉬스가 생성되는 과정이 궁금합니다. 

 

1. etching time을 늘렸을때 식각량이 증가하는 이유가 있을까요?

2. remote plasma를 이용하여 챔버 내부에 source를 전달할경우 배기부 쪽으로 source가 빠져나가는데 고정이 아닌 움직이는 plasma source로 인해 sheath가 형성되는지 궁금합니다.

 

긴글 읽어주셔서 감사합니다.

 

 

 

   

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76437
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19997
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57070
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68543
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91344
757 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 174
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 189
755 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 195
754 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 202
753 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 213
752 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 218
751 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 220
750 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 222
749 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 248
748 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 258
747 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 265
746 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 271
745 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 274
744 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 281
743 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 288
742 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 288
741 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 290
740 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 297
739 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 309
738 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 317

Boards


XE Login